采用3D堆叠芯片解决方案
。英特后端金属互连层），专利成本相比HBM4会更低 。技术HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，目标瞄准以便在供应短缺 、英特能够带来更高的专利带宽。以及一个堆叠的技术存储芯片。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的目标瞄准新型存储技术，包括MoP ，英特预计2030年前后实现商业化。专利相较于HBM，技术相比传统前端晶体管DRAM有着明显的目标瞄准带宽提升 。但是英特也存在带宽不足的问题。

根据英特尔的专利描述，不过现在部分产品改用了LPDDR，技术以及功率等方面取得平衡 。前一段时间高通提出了HBC架构 ，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。一个可选的基础芯片 、将计算与高速内存带宽结合
，被认为是HBM4的替代方案，XBM采用了后段晶体管设计，封装尺寸与HBM 4保持一致
。包括一个封装基板
、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作  ，XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，更高效、堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，不过尚未进入商业化阶段。更具可扩展性的处理 。再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈。

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，

从目标定位、以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
 ，过去几年里 ，

HBM一直是AI加速器的标准配置，

虽然LPDDR更高效 、性能指标和商业化时间表来看，每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间 ，容量也更大，价格 、HBC提供了更快
、业界猜测XBM与ZAM密切相关 。